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2021.11.16
插芯研磨流程注意事项及工艺介绍
文章来源：易通光讯-周勇侵权联系删除！注胶、烤胶、插芯装盘、去胶、研磨。1 、 注 胶注胶要饱满，插芯端面孔口留有大约直径 0.5~1mm 胶包。注明：此环节如注胶不饱满或胶包太小，流入后面去胶环节时胶包保护不充分容易对光纤造成损伤，去胶或断纤时光纤碎裂至插芯孔内部，最终研磨端面出现大块黑斑和黑白点以及纤芯划痕。2、 烤胶，（卧式烤胶炉）烤胶需求温度 100~110℃，烤胶时间
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2021.11.15
新一代半导体材料氧化镓单晶的制备方法及其超精密加工技术研究进展(3)
大连理工大学的 GAO 等[79]以基于工件旋转磨削 原 理 的 超 精 密 磨 床 为 平 台 ， 采 用 #1500( 粒 度10 μm)､ #5000(粒度 3 μm)和#12000(粒度 1 μm)金刚石砂轮研究了不同粒度砂轮磨削氧化镓晶片的表面/亚表面损伤特征､损伤层深度以及损伤层对工件表面硬度的影响，分析了表面/亚表面损伤随磨粒切削深度的变化规律，建立了氧化镓晶片磨削表面层的
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2021.11.15
新一代半导体材料氧化镓单晶的制备方法及其超精密加工技术研究进展(2)
在晶体生长尺寸方面，光浮区法是利用大功率光源和复杂光学系统对原料棒进行聚焦加热，产生熔融区的面积受限于光源的功率和能量的传输效率，导致光浮区法难以制备大尺寸(≥50 mm)单晶晶棒｡提拉法生长晶体时尺寸的大小取决于熔体温度控制和提拉速率，保证籽晶周围的熔体有一定的过冷度，熔体的其余部分保持过热，将有利于大尺寸单晶的生长因此具有稳定的提拉旋转速率以及精准控制的熔体温度是提拉法制备高质量大尺寸单晶材料
