2021.11.11

单晶硅片——区熔硅片

区熔硅片

什么是区熔硅片？

区熔硅片就是通过区熔法（Float Zone）长晶得到区熔单晶硅棒，然后把单晶硅棒加工成硅片，叫做区熔硅片。区熔硅片由于在长晶的过程中没有跟石英坩埚接触，硅材料处于悬浮状态，因此长晶过程中受污染少。碳含量和氧含量更低，杂质更少，电阻率更高，适用于功率器件和某些耐高压电子器件的制造。

区熔硅片在长晶过程中，通常不会像直拉法那样掺入杂质元素硼（Boron）或者磷（Phos）,因此区熔硅片大多是本征型，不掺杂的高阻片，电阻率大于>1000欧姆-厘米。但是某些情况下，也可以通过NTD中照和GD气掺来实现对区熔硅棒的掺杂，以达到均匀性更好和更低的电阻率。

GRISH

Diameter	2″	3″	4″	5″	6″	8″
Growth Method	FZ
Orientation	< 1-0-0 > , < 1-1-1 >
Type/Dopant	Intrinsic, N Type/Phos, P Type/Boron
Thickness (um)	279	380	525	625	675	725
Thickness Tolerance	Standard ± 25um					±50um
Resistivity(Ohm-cm)	1000-20000, Maximum Capabilities>20000, and 1-5
Surface Finished	P/E , P/P, E/E, G/G
TTV (um)	Standard < 10 um
Bow/Warp (um)	Standard <40 um					<50um
Particle	<10@0.3um

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