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【专利摘要】本发明公开了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法。
粗抛光采用氧化铈抛光垫，抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨料，压力100~200 g/cm2，转速10~40 转/分钟，流量10?50 mL/min；
中抛光采用黑色聚氨酯抛光垫，抛光液中含有粒径为60?100 nm的二氧化硅纳米磨料和氧化剂次氯酸钠，压力80?150 g/cm2，转速60?100转/分钟，流量10?30 mL/min；
精抛光采用黑色合成革抛光布，抛光液为无磨料抛光液，压力30?100 g/cm2，转速20?60转/分钟，流量5?10 mL/min。抛光工艺简单、易于操作，锑化镓单晶片表面损伤小，易于清洗，表面粗糙度小于0.3 nm。
【专利说明】
一种用于锑化镓单晶片的抛光方法
技术领域
[0001]本发明涉及半导体材料的加工，特别是涉及一种用于锑化镓单晶片的抛光方法。
【背景技术】
[0002]GaSb是一种多用途的II1-V型半导体材料，GaSb与其他半导体材料的异质结在近红外激光器、发光二极管、大气污染探测器、热-光电设备以及波长范围2-5及8_14μπι的光电探测器上表现出了良好的应用前景。此外，GaSb的晶格常数使它非常适于作为AlGaIn、AsSb等三元或四元II1-V型半导体以及其他超晶格结构的外延生长表面。
[0003]锑化镓的应用依赖于其抛光技术的发展，由于锑化镓的化学性质非常活泼，表面极易氧化，锑化镓的化学作用是相当难控制的；同时锑化镓材料脆性大，易产生划痕，难以加工出高质量的抛光片。只有采用特有的抛光工艺和抛光液才能获得低表面缺陷、低亚表面损伤层的锑化镓衬底表面。
【发明内容】
[0004]鉴于现有技术存在的问题，本发明提出了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法，应用该方法加工后，锑化镓单晶片衬底表面损伤小、无划痕和腐蚀坑的缺陷，表面粗糙度低，可达到粗糙度值Ra小于0.3 nm。
[0005]为了达到上述目的，本发明采取的技术方案是:一种用于锑化镓单晶片的抛光方法，其特征在于，锑化镓单晶片的抛光分三步完成，分别是粗抛光、中抛光和精抛光，其步骤如下:
第一步粗抛光:粗抛光采用氧化铈抛光垫，抛光液中含有粒径为Wl的氧化铝磨料，抛光压力为100?200 g/cm2，转速10?40转/分钟，抛光液流量为10-50 mL/min；
第二步中抛光:中抛光采用黑色聚氨酯抛光垫，抛光液中含有粒径为60-100 nm的二氧化硅纳米磨料和氧化剂次氯酸钠，抛光压力为80-150 g/cm2，转速为60-100转/分钟，抛光液流量为10-30 mL/min；
第三步精抛光:精抛光采用黑色合成革抛光布，抛光液为无磨料抛光液，抛光压力为30-100 g/cm2，转速为20-60转/分钟，抛光液流量为5-10 mL/min。
[0006]本发明所述的粗抛光使用的抛光液按重量百分比由以下组分组成:Wl氧化铝磨料10-30%;助磨剂5~ 10%;分散剂I?1 %;其余为去离子水。
[0007]本发明所述的中抛光使用的抛光液按重量百分比由以下组分组成:二氧化硅纳米磨料10~30%;磷酸0.01-0.2%;次氯酸钠I?10%;其余为去离子水。
[0008]本发明所述的精抛光使用的抛光液按重量百分比由以下组分组成:双氧水0.1?10%; PH值调节剂0.01?5%;其余为去离子水。
[0009]本发明的有益效果是:提供了一种针对锑化镓单晶片的抛光方法和抛光液，采用三步抛光步骤，分别是粗抛、中抛和精抛，每一步均采用专用抛光液。抛光工艺简单、易于操作，使用该方法加工的锑化镓单晶片表面损伤小，易于清洗，表面粗糙度小于0.3 nm。
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