单晶硅片——区熔硅片

2021-11-11 11:00:47 0

区熔硅片

什么是区熔硅片?

区熔硅片就是通过区熔法(Float Zone)长晶得到区熔单晶硅棒,然后把单晶硅棒加工成硅片,叫做区熔硅片。区熔硅片由于在长晶的过程中没有跟石英坩埚接触,硅材料处于悬浮状态,因此长晶过程中受污染少。碳含量和氧含量更低,杂质更少,电阻率更高,适用于功率器件和某些耐高压电子器件的制造。

区熔硅片在长晶过程中,通常不会像直拉法那样掺入杂质元素硼(Boron)或者磷(Phos),因此区熔硅片大多是本征型,不掺杂的高阻片,电阻率大于>1000欧姆-厘米。但是某些情况下,也可以通过NTD中照和GD气掺来实现对区熔硅棒的掺杂,以达到均匀性更好和更低的电阻率。

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Diameter2" 3" 4" 5" 6" 8" 
Growth MethodFZ
Orientation < 1-0-0 > , < 1-1-1 > 
Type/DopantIntrinsic, N Type/Phos, P Type/Boron
Thickness (um)279380525625675725
Thickness ToleranceStandard ± 25um±50um
Resistivity(Ohm-cm)1000-20000, Maximum Capabilities>20000, and 1-5
Surface FinishedP/E , P/P, E/E, G/G
TTV (um)Standard < 10 um
Bow/Warp  (um)Standard <40 um<50um
Particle<10@0.3um

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