锗片(Ge)
粉末状呈暗蓝色,结晶状,为银白色脆金属。密度5.35克/厘米3。熔点937.4℃。沸点2830℃。化合价+2和+4。第一电离能7.899电子伏特。是一种稀有金属,重要的半导体材料。不溶于水、盐酸、稀苛性碱溶液。溶于王水、浓硝酸或硫酸、熔融的碱、过氧化碱、硝酸盐或碳酸盐。在空气中不被氧化。其细粉可在氯或溴中燃烧。
化学式 | Ge |
分子量 | 72.61 |
纯度 | 6N |
外观 | 锭状多晶、单晶 |
用途 | 锗被广泛应用于电子工业、红外光学器件、光纤、医学、冶金、能源、太阳能电池等方面。 |
Type/Dopant 导电类型/掺杂元素 | N-Type/Si | P-Type/Zn |
Dopant/掺杂元素 | As, Sb | Ga |
Growth Method 长晶方式 | CZ | |
Diameter 直径 | 2″, 3″, 4″, 6″ | |
Orientation 晶向 | (100)±0.5° | |
Thickness 厚度 (µm) | 175-500um±25um | |
OF/IF 参考边 | US EJ | |
Resistivity 电阻率 (ohm-cm) | 0.005-30 | 0.005-0.4 |
Etch Pitch Density 位错密度(/cm2) | <300 | <300 |
TTV 平整度 [P/P] (µm) | <15 | |
TTV 平整度 [P/E] (µm) | <25 | |
Warp 翘曲度 (µm) | <25 | |
Surface Finished 表面加工 | P/P, P/E, E/E |
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