氮化镓(GaN)高频特性,可以达到300 GHz高温特性,在300°C正常工作(非常适用于航天、 军事和其它高温环境)电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好耐酸、耐碱、耐腐蚀(可用于恶劣环境)高压特性(耐冲击,可靠性高)大功率(对通讯设备是非常渴望的)GaN/ Al₂O₃ Substrates (4") 4英寸氮化镓复合衬底Item 产品型号Un-dopedN-typeH
磷化铟(InP)高电场下,电子峰值漂移速度高于GaAs中的电子,是制备超高速、超高频器件的良好材料; InP作为转移电子效应器件材料,某些性能优于GaAs InP的直接跃迁带隙为1.35 eV,正好对应于光纤通信中传输损耗最小的波段; InP的热导率比GaAs好,散热效能好 InP是重要的衬底材料:制备半绝缘体单晶 磷化铟单晶是周期系第Ⅲ、V族化合
玻璃片(TGV)肖特BOROFLOAT33一一来自肖特的硼硅浮法玻璃BOROFLOAT33是一种高品质的硼硅玻璃,具有卓越的特性和广泛的用途。它是由肖特耶拿玻璃公司利用微浮法工艺和最新的技术生产而成。这种技术生产出的硼硅玻璃质地均匀,它具有镜面般的绝佳表面、极高的表面平整度和良好的光学性能。BOROFLOAT33是一种清澈透明的无色玻璃。其在整个光谱范围内优越的透光性和极低的荧光强度使它在光学、光