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2021.11.15
新一代半导体材料氧化镓单晶的制备方法及其超精密加工技术研究进展(3)
大连理工大学的 GAO 等[79]以基于工件旋转磨削 原 理 的 超 精 密 磨 床 为 平 台 ， 采 用 #1500( 粒 度10 μm)､ #5000(粒度 3 μm)和#12000(粒度 1 μm)金刚石砂轮研究了不同粒度砂轮磨削氧化镓晶片的表面/亚表面损伤特征､损伤层深度以及损伤层对工件表面硬度的影响，分析了表面/亚表面损伤随磨粒切削深度的变化规律，建立了氧化镓晶片磨削表面层的
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2021.11.15
新一代半导体材料氧化镓单晶的制备方法及其超精密加工技术研究进展(2)
在晶体生长尺寸方面，光浮区法是利用大功率光源和复杂光学系统对原料棒进行聚焦加热，产生熔融区的面积受限于光源的功率和能量的传输效率，导致光浮区法难以制备大尺寸(≥50 mm)单晶晶棒｡提拉法生长晶体时尺寸的大小取决于熔体温度控制和提拉速率，保证籽晶周围的熔体有一定的过冷度，熔体的其余部分保持过热，将有利于大尺寸单晶的生长因此具有稳定的提拉旋转速率以及精准控制的熔体温度是提拉法制备高质量大尺寸单晶材料
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2021.11.15
新一代半导体材料氧化镓单晶的制备方法及其 超精密加工技术研究进展
半导体超精密加工摘要：氧化镓(β-Ga2O3)单晶是继碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)之后，制造超高压功率器件、深紫外光电子器件、高亮度 LED 等高性能半导体器件的新一代半导体材料，大尺寸低缺陷氧化镓单晶的制备方法以及高表面质量氧化镓晶片的超精密加工技术是实现氧化镓半导体器件工业应用的瓶颈之一。针对易产生结构缺陷的氧化镓单晶的制备，系统阐述焰熔法、提拉法、光浮区法、导模法、布里奇曼法等氧化镓单
