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2021.11.15
新一代半导体材料氧化镓单晶的制备方法及其 超精密加工技术研究进展
半导体超精密加工摘要：氧化镓(β-Ga2O3)单晶是继碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)之后，制造超高压功率器件、深紫外光电子器件、高亮度 LED 等高性能半导体器件的新一代半导体材料，大尺寸低缺陷氧化镓单晶的制备方法以及高表面质量氧化镓晶片的超精密加工技术是实现氧化镓半导体器件工业应用的瓶颈之一。针对易产生结构缺陷的氧化镓单晶的制备，系统阐述焰熔法、提拉法、光浮区法、导模法、布里奇曼法等氧化镓单
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2021.11.15
第三代半导体材料之氮化镓（GaN）
第三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，已成为全球半导体技术和产业竞争焦点。第三代半导体材料五高特性【一】 从能带角度看三个半导体材料时代第三代半导体材料在
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2021.11.15
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇(2)
三、碳化硅功率半导体存在的问题尽管全球碳化硅器件市场已经初具规模，但是碳化硅功率器件领域仍然存在一些诸多共性问题亟待突破，比如碳化硅单晶和外延材料价格居高不下、材料缺陷问题仍未完全解决、碳化硅器件制造工艺难度较高、高压碳化硅器件工艺不成熟、器件封装不能满足高频高温应用需求等，全球碳化硅技术和产业距离成熟尚有一定的差距，在一定程度上制约了碳化硅器件市场扩大的步伐。1、碳化硅单晶材料国际上碳化硅单晶材
