砷化镓(GaAs)砷化镓衬底晶片GaAs Substrate Wafers砷化镓(GaAs)是一种半导体材料,具有高频率、高电子迁移事、高锦出功事、低唾音以及线性度良奸等优越特性,广泛应用于光电子和微电子工业,在光电子工业领城皮用质面,神化家单品可被用于制作 LED(发光二楼管)、LD(教光园),光伏器件等;在微电子工业领城皮用层面,可被用于制作 MESFET(金属半导体场效皮管)、HEMT(高电
蓝宝石(Al₂O₃)蓝宝石的成分为氧化铝,因含微量元素钛(Ti4+)或铁(Fe2+)而呈蓝色。属三方晶系,晶体形态常呈筒状、短柱状、板状等,几何体多为粒状或致密块状。透明至半透明,玻璃光泽。折光率1.76-1.77,双折射率0.008,二色性强。非均质体。有时具有特殊的光学效应-星光效应。硬度为9,密度3.95-4.1克/立方厘米。无解理,裂理发育。序号项目规格1Material 材料High P
氮化镓(GaN)高频特性,可以达到300 GHz高温特性,在300°C正常工作(非常适用于航天、 军事和其它高温环境)电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好耐酸、耐碱、耐腐蚀(可用于恶劣环境)高压特性(耐冲击,可靠性高)大功率(对通讯设备是非常渴望的)GaN/ Al₂O₃ Substrates (4") 4英寸氮化镓复合衬底Item 产品型号Un-dopedN-typeH