背景技术
作为对正面和背面进行镜面研磨的硅晶圆的制造方法，在专利文献1(参照图4)中记载有如下硅晶圆的制造方法：利用双面研磨装置同时研磨硅晶圆的双面，之后，对硅晶圆的倒角部进行镜面研磨，之后，利用单面研磨装置精磨硅晶圆的单面。
双面研磨工序的主要目的在于去除切片或磨削时产生的加工损伤并制作晶圆的形状，双面研磨后的硅晶圆的双面被镜面化。之后，通过单面精磨工序将在出厂之后制作半导体设备的面(在本说明书中称作“正面”)设为产品等级的表面粗糙度。
专利文献1：日本特开平8-236489号公报
然而，在专利文献1中记载的硅晶圆的制造方法中，由于利用单面研磨装置精磨硅晶圆的正面，因此存在平坦度差的问题。关于利用单面研磨装置的硅晶圆的研磨，利用容易在晶圆面内产生压力分布的研磨头，尤其容易对面内外周部施加压力。因此，与刚刚利用双面研磨装置研磨双面之后的硅晶圆相比，精磨之后的硅晶圆的、尤其外周部的平坦度差。
另一方面，近几年，形成于硅晶圆上的元件微细化，因硅晶圆的大口径化而用于形成元件的曝光面积扩大，因此提高硅晶圆中的平坦度的要求逐渐强烈。在这样的状况下，若利用单面研磨装置只精磨单面，则存在无法获得所希望的平坦度的问题。
技术实现要素：
因此，本发明鉴于上述问题，目的在于提供一种双面被镜面化且只有正面被精磨的硅晶圆，该硅晶圆的正面外周部的平坦性也包括在内的晶圆整体的平坦性优异，而且提供一种能够有效地制造这种硅晶圆的硅晶圆的制造方法。
本发明人等为了实现上述目的而进行了深入研究。其结果发现了，在将保护膜形成于双面研磨之后的硅晶圆的背面的状态下，利用双面研磨装置研磨硅晶圆，由此能够只精磨硅晶圆的正面，根据该方法，与利用单面研磨装置进行精磨工序的情况相比，能够提高正面外周部的平坦性也包括在内的晶圆整体的平坦性。而且发现了，在该精磨时，在倒角部也预先形成保护膜，由此能够进一步抑制因精磨导致的晶圆外周部的研磨塌边，其结果，能够制造正面外周部的平坦性也包括在内的晶圆整体的平坦性更加优异的硅晶圆。
本发明是基于上述见解完成的，其宗旨结构如下。
(1)一种硅晶圆，其正面以及背面的混浊值为50ppm以下，所述正面的混浊值小于所述背面的混浊值，其中，
所述硅晶圆的gbir的值为1000nm以下，
所述硅晶圆的esfqd-mean的值为100nm以下。
(2)根据上述(1)中所记载的硅晶圆，所述硅晶圆的直径为450mm以上。
(3)一种硅晶圆的制造方法，其具有：
第1工序，利用双面研磨装置同时研磨硅晶圆的正面以及背面；
第2工序，之后，研磨所述硅晶圆的倒角部；
第3工序，之后，在所述硅晶圆的背面以及倒角部形成保护膜；
第4工序，之后，将所述硅晶圆供给至双面研磨装置，只研磨所述硅晶圆的正面；以及
第5工序，之后，去除所述保护膜。
(4)根据上述(3)中所记载的硅晶圆的制造方法，在所述第5工序之后，具有只研磨所述硅晶圆的背面的第6工序。
(5)根据上述(3)或(4)中所记载的硅晶圆的制造方法，所述硅晶圆的直径为450mm以上。
发明效果
本发明的硅晶圆的正面和背面被镜面化且只有正面被精磨，且正面外周部的平坦性也包括在内的晶圆整体的平坦性优异。并且，根据本发明的硅晶圆的制造方法，能够制造正面和背面被镜面化且只有正面被精磨的硅晶圆，该硅晶圆的正面外周部的平坦性也包括在内的晶圆整体的平坦性优异。
附图说明
图1是表示在本发明的一实施方式的硅晶圆的制造方法中使用的双面研磨装置100的立体图。
图2是将图1所示的双面研磨装置100在卸下上平台的状态下从正上方观察到的俯视图。
图3是对硅晶圆进行双面研磨的状态的图1所示的双面研磨装置100的图2所示的截面i-i线上的剖视图。
图4(a)是在本发明的一实施方式的硅晶圆的制造方法中使用的研磨硅晶圆的倒角部的研磨装置200的局部放大示意图，图4(b)是图4(a)所示的研磨装置200的俯视图。
具体实施方式
(硅晶圆的制造方法)
本发明的一实施方式的硅晶圆的制造方法具有：利用双面研磨装置同时研磨硅晶圆的正面以及背面的第1工序；之后，研磨所述硅晶圆的倒角部的第2工序；之后，在所述硅晶圆的背面以及倒角部形成保护膜的第3工序；之后，将所述硅晶圆供给至双面研磨装置，只研磨所述硅晶圆的正面的第4工序；以及之后，去除所述保护膜的第5工序，任意地在所述第4工序之后，还具有只追加研磨所述硅晶圆的正面的第6工序。以下，参照附图按照每一个工序进行说明。
(第1工序：双面研磨工序)
在第1工序中，利用双面研磨装置同时研磨硅晶圆的正面以及背面。优选供给至双面研磨装置的硅晶圆通过研磨(lapping)处理或磨削处理等而被平坦化加工。
参照图1以及图2，在本实施方式中使用的双面研磨装置100由如下部件构成：一对上平台1以及下平台2；固定于上平台1的上研磨布3；固定于下平台2的下研磨布4；具有小孔5以及侧面齿轮6a的载体6；与载体6的侧面齿轮6a啮合的中心齿轮7；以及研磨液供给管8。
该双面研磨装置100是具有5个载体6的情况的例子，但是在本发明中，只要具有至少一个载体6即可，能够根据需要增减载体的配设个数。
将嵌入载体6的小孔5中的硅晶圆w利用固定有上研磨布3的上平台1和固定有下研磨布4的下平台2夹持，如图1所示，使上平台1以及下平台2向相反的方向旋转，利用中心齿轮7使载体6向箭头方向旋转，从而同时研磨硅晶圆w的双面。
在研磨时，一边从图1所示的研磨液供给管8供给含有研磨颗粒的研磨液，一边进行研磨。含有研磨颗粒的研磨液在碱类水溶液中混合研磨颗粒而生成。从具有机械化学作用且高纯度化比较容易的观点考虑，研磨颗粒的材质优选为二氧化硅、氧化铝、氧化锆、二氧化铈等。以平均粒径计，研磨颗粒的大小优选为10～500nm的范围。这是因为，在研磨颗粒的平均粒径小于10nm的情况下，有可能无法获得研磨颗粒彼此的凝聚和充分的研磨速度等，另一方面，若超过500nm，则有可能在研磨表面产生划伤等。
关于研磨条件，优选在双面研磨中，在上研磨布3以及下研磨布4与硅晶圆w的表面之间形成固定厚度以上的研磨液膜，为了能够顺畅地研磨而如下设定各条件。另外，括号内是更优选的条件范围。
利用上平台以及下平台夹持晶圆的力：50～500gf/cm2
(更优选为100～300gf/cm2)
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