高质量深紫外LED封装陶瓷基板的结构和封装方法

高质量深紫外LED封装陶瓷基板的结构和封装方法

2021-11-08 15:03:15 0

 高质量深紫外LED封装陶瓷基板的结构和封装方法


深紫外LED封装陶瓷基板出光率高,量子质量好,工作温度低,提供的深紫外LED大功率光功率密度,也极大改善了器件的可靠性.小编将简述深紫外LED封装陶瓷基板的结构和封装方法。


深紫外LED的封装支架和封装结构


一种深紫外LED的封装支架和封装结构.深紫外LED的封装结构包括深紫外LED芯片,玻璃盖板和封装支架,封装支架包括陶瓷基板和围坝,陶瓷基板包括陶瓷板和布置在陶瓷板表面的金属化图形层,围坝固定在陶瓷基板的顶面上;围坝的内壁为金属内壁,金属内壁包括反光杯;围坝通过粘接层或焊接层固定在陶瓷基板的顶面上,当围坝通过粘接层固定在陶瓷基板的顶面时,围坝的金属内壁遮盖粘接层的内周.深紫外LED芯片贴装于陶瓷板顶面的金属化图形层的线路上,玻璃盖板焊接在围坝的顶部.实用新型能有效地把芯片发出的紫外光导出封装体外,不仅封装结构的出光率高,而且芯片的工作温度较低.

GRISH

基于高质量AlN模板的深紫外LED


随着基于InGaN材料的蓝光LED的技术日趋成熟并广泛应用,越来越多的研究者逐渐将研究兴趣转移到波长更短的氮化物LED——基于AlGaN材料的紫外乃至深紫外LED.紫外LED在生化探测,杀菌消毒,聚合物固化,无线通讯及白光照明等领域都有重大应用价值,据估计其潜在市场价值高达数十亿美元.但是,从发光功率和效率而言,目前的UV-LED还远不能令人们满意.目前实验室报导的InGaN基蓝光LED的量子效率最好结果已经超过70%,相比之下, AlGaN基紫外LED的量子效率要低的多,尤其是波长在UV-B(290-320nm),UV-C(200-290nm)波段的深紫外LED,量子效率一般不超过2%.造成这一问题的一个重要原因在于难于外延生长高质量的AlGaN材料,Al组分越高,外延生长困难越大,晶体质量越低.通过典型的两步法生长的AlGaN外延薄膜中的位错密度普遍在1010/cm-2乃至更高.低的晶体质量同时增加了AlGaN的掺杂困难,进一步导致量子效率低下.针对这一问题,以高温AlN模板为基础,外延生长获得了高质量的AlGaN材料,并在此基础上制作了深紫外LED.


一种高可靠性大功率紫外LED集成封装方法


高可靠性大功率紫外LED集成封装方法,首先将高导热陶瓷基板作为支撑板,并在高导热陶瓷基板两端固定安装有金属围坝;然后将大尺寸硅板固定安装在高导热陶瓷基板上,紫外LED芯片固定安装在大尺寸硅板上;通过金线将紫外LED芯片与金属电极和大尺寸硅板电性连接;最后在金属围坝上固定玻璃盖板,完成结构封装.本发明通过采用高导热陶瓷基板结合大尺寸硅板和玻璃盖板,通过金线将紫外LED芯片分别与金属电极和大尺寸硅板进行电气连接,实现了适用于垂直,水平,倒装结构紫外LED芯片的大功率集成全无机封装结构,这不仅提高了光功率密度,也极大改善了器件的可靠性.


GRISH

GRISH

更多产品信息欢迎您进店选购!

https://bjgrish1.1688.com

关于国瑞升GRISH®--精密抛光材料专家&专注精密抛光20年

北京国瑞升科技股份有限公司成立于2001年6月,是国内专业从事研发、生产、经营超精密研磨抛光材料的国家级高新技术企业,是具有多项国际国内自主知识产权、多年产品技术研发经验和众多客户应用实践沉淀的业界先驱。

( https://www.bjgrish.com )


国瑞升GRISH®以精准服务为客户提供专业化、定制化的研磨抛光解决方案,以及多种配套化、系列化的精密研磨抛光材料产品、工艺和设备,专注解决客户超精密研磨抛光的高端需求,助力客户成功!


其中国瑞升GRISH®研发生产的超精密抛光膜&抛光带、静电植砂研磨带&抛光带、3D立体凹凸磨料、单晶&多晶&类多晶--金刚石微粉及对应研磨液、CMP抛光液、研磨助剂等多种超精密抛光耗材,广泛应用于光通信、汽车、半导体、LED、蓝宝石、精密陶瓷、LCD、3C电子、辊轴、口腔医疗等多个行业,并已出口至美国、英国、德国、俄罗斯、日本、韩国、印度、巴西等多个国家和地区。


GRISH

欢迎您关注

GRISH

国瑞升GRISH®

以专业化、系列化、

配套化、定制化的产品,

精准服务,助客户成功!

电话
产品中心
应用行业
样品索取