氧化硅抛光液
我公司氧化硅抛光液是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品，广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料砷化镓、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。具有应用领域广、抛光效率高、杂质含量低、抛光后容易清洗等特点。如：硅片、化合物晶体、精密光学器件、宝石等的抛光加工。可生产不同粒度（10~150 nm）的产品满足用户需求。根据pH值的不同可分为酸性抛光液和碱性抛光液。
二氧化硅抛光液
二氧化硅胶体粒度细,抛光液稳定性和分散均一性好,对抛光工件表面的损伤层极微,可以得到较高的表面质量,广泛用于纳米材料的高平坦化抛光。通过调整抛光液PＨ值,提高产物的排除速率和加强化学反应,可以提高二氧化硅抛光液的抛光效率。
应用：硅、锗、砷化镓、磷化铟、碳化硅、氮化镓、铌酸锂、钽酸锂、陶瓷、蓝宝石、金属、玻璃等材料的抛光。光纤连接器、硬盘盘片、液晶面板、光学镜头、精密模具表面等产品抛光。
产品规格
| 碱性型号（pH:9.8±0.5） | SOQ-2A | SOQ-4A | SOQ-6A | SOQ-8A | SOQ-10A | SOQ-12D |
| 酸性型号（pH:2.8±0.5） | ASOQ-2A | ASOQ-4A | ASOQ-6A | ASOQ-8A | ASOQ-10A | ASOQ-12D |
| 粒径(nm) | 10~30 | 30~50 | 50~70 | 70~90 | 90~110 | 110~130 |
| 外观 | 乳白色或半透明液体 |
| 比重 | 1.15±0.05 |
| 组成 | 成份 | 含量（w%） |
| SiO2 | 15～30 |
| Na2O | ≤0.3 |
| 重金属杂质 | ≤50 ppb |
产品的特点：
高抛光速率，利用大粒径的胶体二氧化硅粒子达到高速抛光的目的（可以生产150 nm）
粒度可控，根据不同需要，可生产不同粒度的产品（10-150 nm）
高纯度（Cu2+含量小于50 ppb），有效减小对电子类产品的沾污
高平坦度加工，本品抛光是利用SiO2的胶体粒子，不会对加工件造成物理损伤，达到高平坦化加工
应用领域
CMP抛光液配合线切割金刚石微粉和砂浆、B₄C悬浮液和悬浮剂、单晶多晶类多晶金刚石研磨液和微粉、氧化铝抛光液、抛光垫、高效研磨助剂等超精密研磨抛光配套耗材与国瑞升平面抛光机。
适用于磷化铟、砷化镓、碳化硅、氮化镓、氧化镓等衬底材料，
氮化铝、氮化铝、氧化铝等陶瓷基板散热材料，
钽酸锂、铌酸锂、硒化锌、硫化锌、氟化钡、氟化钙等光学晶体材料。
能够有效降低被加工晶片的划伤率，成品合格率高达95%以上，损伤层＜5μm，表面光洁效果好，研磨抛光效率能提高2-3倍，耗材使用量较传统工艺节省30-40%，与海外同类产品相比拥有明显性价比优势！
（以上数据来源于国瑞升实验室测试数据，仅做参考，实际情况依据客户不同而有所变动）