我公司针对化合物半导体有对应的抛光工艺及耗材，包含碳化硅、氮化铝、氮化镓、砷化镓、磷化铟等，同时还承接各类代加工业务。
产品规格
常见规格的参数 | 氧化铝 | 测试方法 |
粒度（nm） | 200-500 | 激光粒度仪 |
颗粒形貌 | 类球状 | SEM |
pH值 | 9-13 | pH计 |
粘度（cst） | ＜20 | 粘度计 |
浓度（%） | 10-30% | --- |
产品特点
我司主推的化合物半导体抛光液主要针对磷化铟和砷化镓芯片的背部抛光所做的配方设计。这款抛光液相对于竞品具有抛光速率快、表面状态好（Ra，TTV，LTV）、良率高等显著特点。
保存和运输
使用：使用人员应带好防护工具，避免与液体直接接触；
保存：保存温度应在5℃-50℃；
运输：运输温度应在5℃-50℃，并确保桶口向上。
磷化铟砷化镓抛光工艺参考
LJTK设备：
第一道：减薄15-30min：3-10um的氧化铝微粉配合石英盘；
第二道：背抛：30-40min：
磷化铟：化合物半导体抛光液配合黑色阻尼布抛光垫。
砷化镓：化合物半导体抛光液或CMP抛光液配合黑色阻尼布抛光垫。
CMP抛光液配合线切割金刚石微粉和砂浆、B₄C悬浮液和悬浮剂、单晶多晶类多晶金刚石研磨液和微粉、氧化铝抛光液、抛光垫等超精密研磨抛光配套耗材与国瑞升平面抛光机。
适用于磷化铟、砷化镓、碳化硅、氮化镓、氧化镓等衬底材料，
氮化铝、氮化铝、氧化铝等陶瓷基板散热材料，
钽酸锂、铌酸锂、硒化锌、硫化锌、氟化钡、氟化钙等光学晶体材料。
能够有效降低被加工晶片的划伤率，成品合格率高达95%以上，损伤层＜5μm，表面光洁效果好，研磨抛光效率能提高2-3倍，耗材使用量较传统工艺节省30-40%，与海外同类产品相比拥有明显性价比优势！
（以上数据来源于国瑞升实验室测试数据，仅做参考，实际情况依据客户不同而有所变动）
