CMP 抛光液

CMP抛光液是针对不同研磨材料的特性进行独特的配方设计,抛光过程中,pH值基本保持不变,从而保证抛光速率的稳定,并节约抛光时间。广泛用于多种材料纳米级的化学机械抛光。如:蓝宝石材料、硅片、不锈钢、铝镁合金、化合物晶体等的抛光加工。

CMP抛光液

CMP抛光液是针对不同研磨材料的特性进行独特的配方设计,抛光过程中,pH值基本保持不变,从而保证抛光速率的稳定,并节约抛光时间。广泛用于多种材料纳米级的化学机械抛光。如:蓝宝石材料、硅片、不锈钢、铝镁合金、化合物晶体等的抛光加工。


二氧化硅抛光液

二氧化硅胶体粒度细,抛光液稳定性和分散均一性好,对抛光工件表面的损伤层极微,可以得到较高的表面质量,广泛用于纳米材料的高平坦化抛光。通过调整抛光液PH值,提高产物的排除速率和加强化学反应,可以提高二氧化硅抛光液的抛光效率。

应用:硅、锗、砷化镓、磷化铟、碳化硅、氮化镓、铌酸锂、钽酸锂、陶瓷、蓝宝石、金属、玻璃等材料的抛光。光纤连接器、硬盘盘片、液晶面板、光学镜头、精密模具表面等产品抛光。


产品规格

型号

粒度

颗粒形貌

pH值

粘度

浓度

SOQ-12D

110nm-130nm

球形

10.5±0.5

<20cst

20%

SO-100-PF

90nm-120nm

<10cst

20-50%

SO-80-PF

70nm-90nm

SO-60-PF

50nm-70nm

SO-40-PF

30nm-50nm

SO-20-PF

10nm-30nm

<30cst

10-40%

测试方法

激光粒度仪

SEM/TEM

pH 计

粘度计

比重计

注:除以上规格外,可根据客户的需求提供定制产品。


产品特点

  • 均匀的球形SiO2 粒子;

  • 去除率高,抛光性能稳定;

  • 精密的抛光质量,Ra<0.2nm、TTV<3μm;

  • 可循环使用多次;

  • 适用于35℃以下的低温抛光工艺;

  • 可选用中性或弱酸性抛光液对应。


应用领域

  • 碳化硅衬底

  • 蓝宝石材料

  • CMP抛光液配合线切割金刚石微粉和砂浆、B₄C悬浮液和悬浮剂、单晶多晶类多晶金刚石研磨液和微粉、氧化铝抛光液、抛光垫等超精密研磨抛光配套耗材与国瑞升平面抛光机。

  • 适用于磷化铟、砷化镓、碳化硅、氮化镓、氧化镓等衬底材料,

  • 氮化铝、氮化铝、氧化铝等陶瓷基板散热材料,

  • 钽酸锂、铌酸锂、硒化锌、硫化锌、氟化钡、氟化钙等光学晶体材料。


  • 能够有效降低被加工晶片的划伤率,成品合格率高达95%以上,损伤层<5μm,表面光洁效果好,研磨抛光效率能提高2-3倍,耗材使用量较传统工艺节省30-40%,与海外同类产品相比拥有明显性价比优势!

  • (以上数据来源于国瑞升实验室测试数据,仅做参考,实际情况依据客户不同而有所变动)


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