化合物半导体——锗片

2021-11-11 11:32:27 0

锗片(Ge)

粉末状呈暗蓝色,结晶状,为银白色脆金属。密度5.35克/厘米3。熔点937.4℃。沸点2830℃。化合价+2和+4。第一电离能7.899电子伏特。是一种稀有金属,重要的半导体材料。不溶于水、盐酸、稀苛性碱溶液。溶于王水、浓硝酸或硫酸、熔融的碱、过氧化碱、硝酸盐或碳酸盐。在空气中不被氧化。其细粉可在氯或溴中燃烧。

GRISH


锗性质
具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。锗的熔密度5.32克/厘米3,锗可能性划归稀散金属,锗化学性质稳定,常温下不与空气或水蒸汽作用,但在600~700℃时,很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时,锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中,锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱,但熔融的碱在空气中,能使锗迅速溶解。锗与碳不起作用,所以在石墨坩埚中熔化,不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质,如电子迁移率、空穴迁移率等等。锗的发展仍具有很大的潜力。现代工业生产的锗,主要来自铜、铅、锌冶炼的副产品

化学式 Ge 
分子量 72.61 
纯度6N 
外观锭状多晶、单晶 
用途锗被广泛应用于电子工业、红外光学器件、光纤、医学、冶金、能源、太阳能电池等方面。 


 

Ge Wafer Specification
Type/Dopant 导电类型/掺杂元素N-Type/SiP-Type/Zn
Dopant/掺杂元素As, SbGa
Growth Method 长晶方式CZ
Diameter 直径2", 3", 4", 6"
Orientation 晶向(100)±0.5°
Thickness 厚度 (µm)175-500um±25um
OF/IF 参考边US EJ
Resistivity 电阻率 (ohm-cm)0.005-300.005-0.4
Etch Pitch Density 位错密度(/cm2)<300<300
TTV 平整度 [P/P] (µm)<15
TTV 平整度 [P/E] (µm)<25
Warp 翘曲度 (µm)<25
Surface Finished 表面加工P/P, P/E, E/E


 

GRISH

GRISH

更多产品信息欢迎您进店选购!

https://bjgrish1.1688.com

关于国瑞升GRISH®--精密抛光材料专家&专注精密抛光20年

北京国瑞升科技股份有限公司成立于2001年6月,是国内专业从事研发、生产、经营超精密研磨抛光材料的国家级高新技术企业,是具有多项国际国内自主知识产权、多年产品技术研发经验和众多客户应用实践沉淀的业界先驱。

( https://www.bjgrish.com )


国瑞升GRISH®以精准服务为客户提供专业化、定制化的研磨抛光解决方案,以及多种配套化、系列化的精密研磨抛光材料产品、工艺和设备,专注解决客户超精密研磨抛光的高端需求,助力客户成功!


其中国瑞升GRISH®研发生产的超精密抛光膜&抛光带、静电植砂研磨带&抛光带、3D立体凹凸磨料、单晶&多晶&类多晶--金刚石微粉及对应研磨液、CMP抛光液、研磨助剂等多种超精密抛光耗材,广泛应用于光通信、汽车、半导体、LED、蓝宝石、精密陶瓷、LCD、3C电子、辊轴、口腔医疗等多个行业,并已出口至美国、英国、德国、俄罗斯、日本、韩国、印度、巴西等多个国家和地区。


GRISH

欢迎您关注

GRISH

国瑞升GRISH®

以专业化、系列化、

配套化、定制化的产品,

精准服务,助客户成功!

电话
产品中心
应用行业
样品索取