新一代半导体材料氧化镓单晶的制备方法及其超精密加工技术研究进展(2)

新一代半导体材料氧化镓单晶的制备方法及其超精密加工技术研究进展(2)

2021-11-15 13:22:35 0

在晶体生长尺寸方面,光浮区法是利用大功率光源和复杂光学系统对原料棒进行聚焦加热,产生熔融区的面积受限于光源的功率和能量的传输效率,导致光浮区法难以制备大尺寸(≥50 mm)单晶晶棒。提拉法生长晶体时尺寸的大小取决于熔体温度控制和提拉速率,保证籽晶周围的熔体有一定的过冷度,熔体的其余部分保持过热,将有利于大尺寸单晶的生长因此具有稳定的提拉旋转速率以及精准控制的熔体温度是提拉法制备高质量大尺寸单晶材料的关键。对于垂直布里奇曼法,生长晶体的尺寸主要受限于封闭式贵金属坩埚的尺寸大小。导模法是一种近尺寸成型生长晶体技术,利用毛细作用原理使熔体上升至模具顶部,并在边缘形成一个薄膜熔体层,然后随籽晶提拉完成特定形状尺寸的晶体生长,导模法生长晶体的形状和尺寸主要取决于模具顶部边缘的形状和尺寸,因此导模法具有生长定形/定向晶体的能力。


图 19 布里奇曼法生长的氧化镓单晶


总结上述可知,随着超高压功率器件、深紫外光电子器件等高性能半导体器件对超宽禁带氧化镓单晶需求的增加,近年来关于氧化镓单晶生长技术的研究发展迅速,从近 20 年来国内外的发展现状来看,如图 20 所示,提拉法、光浮区法、导模法和布里奇曼法是目前生长高质量氧化镓单晶的主要方法。

图 20 国内外氧化镓晶体生长技术的发展趋势 


其中,导模法在生长较大尺寸氧化镓晶体和控制晶体导电率方面具有优势,是目前最有潜力的氧化镓单晶生长方法,国外采用导模法已成功生长出最大 6 英寸的高质量氧化镓单晶,并实现了 2 英寸氧化镓单晶的产业化生长,国内采用导模法也生长出 4 英寸氧化镓单晶。对比国内外氧化镓单晶生长技术的研究进展来看,我国虽然起步较晚,但近年来发展迅速,山东大学、同济大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所以及中国科学院的上海光学精密机械研究所、上海硅酸盐研究所和安徽光学精密机械研究所等研究机构对氧化镓单晶生长技术进行了较系统的研究,开发出拥有自主知识产权的氧化镓单晶生长技术,实现了大尺寸高质量氧化镓单晶生长,打破了国外技术垄断。但国内氧化镓单晶的生长质量、生长尺寸,以及生长工艺和装备的成熟度和稳定性与国外相比还存在较大差距,还处于实验室研究向产业化、商品化过渡的阶段,还有很多关键问题如生长工艺的优化、元素的均匀掺杂、高稳定性生长装备的研制等需要解决,才能实现大尺寸高质量氧化镓单晶的产业化生长。


2 氧化镓单晶加工技术的研究现状


为了满足微电子和光电子器件制造的要求,氧化镓晶体在完成单晶生长以后,还需要经过一系列的超精密加工获得高精度超光滑近无损伤表面的晶片。目前,氧化镓晶体超精密加工的难点在于该晶体的硬度高、脆性大、各向异性大、极易解理,导致其加工精度和表面质量不稳定,且碎片率极高。如何实现氧化镓晶体基片(也称为晶片)的高精度、高效率、低损伤加工成为国内外学者的热点研究课题之一。


2.1 氧化镓单晶的表面/亚表面损伤形成机理


为了实现氧化镓晶片的高效低损伤加工,必须系统研究超精密加工氧化镓单晶的材料去除机理以及表面损伤的产生机理与演变规律。国内大连理工大学与澳大利亚昆士兰大学合作[45],通过纳米压痕/划痕试验和超高分辨双束扫描电镜系统(SEM-FIB)、透射电镜(TEM)等检测手段首次揭示了氧化镓单晶的解理破碎机理、亚表面损伤类型以及亚表面损伤随压头载荷的变化规律,研究表明,不同载荷作用下氧化镓单晶的亚表面损伤类型主要包括堆垛层错、孪晶、位错、微裂纹,随着压头载荷的逐渐增大,氧化镓单晶的亚表面损伤类型也随之发生改变,如图 21 所示。


图 21 不同载荷下氧化镓单晶的亚表面损伤形式

当压头载荷为仅 0.2 mN时,氧化镓单晶的亚表面虽然仅能观测到轻微的弹塑性变形,但已产生明显的堆垛层错和孪晶损伤,表明氧化镓单晶在加工过程中极容易产生亚表面损伤;压头载荷增大到 1 mN 时,氧化镓单晶的亚表面已发生明显的塑性变形,除产生堆垛层错和孪晶损伤外,还产生了位错损伤;压头载荷增大到 8 mN 时,氧化镓单晶的亚表面损伤类型与压头载荷为 1 mN 时产生的亚表面损伤相同,但亚表面损伤明显更严重;当压头载荷增大到10 mN 时,氧化镓单晶的亚表面产生微裂纹,且微裂纹的扩展方向和堆垛层错的方向相同,表明堆垛层错的产生是诱发微裂纹的根本原因。此外,研究还发现,氧化镓单晶亚表面产生的堆垛层错、孪晶、位错损伤分别位于(200)、 (-201)和(101)晶面,结合氧化镓单晶的晶体结构特征,揭示了不同载荷作用下氧化镓单晶亚表面堆垛层错、孪晶和位错的产生机理与演化规律。

在上述研究基础上, WU 等[46]进一步通过氧化镓单晶的微柱压缩试验研究了氧化镓单晶在不同载荷作用下的变形特征,分析了氧化镓单晶产生的损伤类型,结果表明,随着压头载荷的增大,氧化镓单晶微柱由弹性变形向塑性变形转变直至发生滑移断裂,转变过程中氧化镓单晶的(200)晶面上产生大量的堆垛层错,当压头载荷超过某一临界值时, (200)晶面上的堆垛层错演化为微裂纹,随着载荷的增大,微裂纹进一步扩展导致微柱发生滑移断裂。氧化镓单晶的纳米压痕/划痕试验和微柱压缩试验均表明氧化镓单晶在载荷作用下极易沿(200)晶面产生堆垛层错,随着载荷的增大, (200)晶面上高密度的堆垛层错是诱发亚表面微裂纹产生的本质原因,最终导致氧化镓晶体沿(200)晶面发生滑移断裂,揭示了氧化镓单晶加工过程中极易解理破碎的原因。上述研究结果对于氧化镓单晶超精密加工时砂轮磨料粒径的选择,磨削力的控制以及磨削工艺参数的优化,进而控制晶片的表面/亚表面损伤,抑制晶片加工过程中的解理破碎具有重要的指导作用。


图 22 不同载荷下氧化镓单晶微柱的变形及其截面 TEM


除了采用传统的纳米压痕/划痕和微柱压缩法研究氧化镓单晶的表面/亚表面损伤特性,国内外学者通过其他试验和仿真方法对氧化镓单晶的损伤形成机理也进行了研究。美国内华达大学的 AN 等[46]基于密度泛函理论的第一性原理,采用广义梯度近似方法中的 Perdew-Burke-Ernzerhof 交换关联函数研究了氧化镓单晶在剪应力和压应力作用下的损伤形成机理,研究表明 ,在纯剪应力作用下 ,(001)/<010>滑移系的理论剪切强度最低,是最容易导致氧化镓单晶发生解理的滑移面,并阐明了GaII−OIII 键是氧化镓单晶中最弱的键,是导致氧化镓单晶沿(001)/<010>滑移解理的原因。在压痕产生的双向剪应力作用下,虽然具有较高压应力,但氧化镓单晶仍然沿(001)/<010>发生滑移解理,与纯剪应力条件下的滑移解理特性相同。此外,进一步计算了氧化镓单晶(001)晶面的表面层错能,揭示了氧化镓单晶不存在原始层错结构。


美国密歇根大学的 AHN 等[48]研究了飞秒激光照射下,氧化镓单晶表面微观形貌和亚表面损伤的演变规律以及产生表面/亚表面损伤的临界激光能量密度。研究表明,单脉冲激光照射下氧化镓单晶产生表面/亚表面损伤的临界激光能量密度为 1.11 J/cm2,多脉冲激光照射下氧化镓单晶产生损伤的临界激光能量密度为 0.6 J/cm2,超过能量密度临界值的激光会在氧化镓晶片表面照射区产生大量沿<001>晶向的微裂纹,如图 23 所示,并揭示了氧化镓单晶自身较差的导热性能和较大的各向异性是导致晶片表面照射区沿固定方向产生微裂纹的原因。在上述研究基础上, AHN 等[49]进一步研究了不同波长激光照射下,氧化镓单晶表面产生烧蚀、微裂纹和再结晶等损伤的临界激光能量密度,此外,通过激光照射可以在氧化镓单晶表面直接制造纳米结构的高空间频率光栅,实现了氧化镓单晶表面激光直写纳米结构的快速方法。

图 23 飞秒激光照射下氧化镓单晶表面的微裂纹


日本防卫大学的 KISHIMURA 等[50]借助于飞片冲击试验和 X 射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)等检测方法,研究了冲击压力对氧化镓单晶表面微观组织结构的影响。试验结果表明,当冲击压力为11 GPa 时,氧化镓单晶冲击表面仅含有自身原始的β 相组织结构,当冲击压力为 16 GPa 时,氧化镓单晶冲击表面的组织结构除了自身原始的 β 相,还产生了 α 相,表明在较大的冲击压力作用下,氧化镓单晶表面的组织结构发生了 β 相→α 相的转变,证明在特定条件下氧化镓单晶发生相变的可能性。


俄罗斯国家科学院的 NIKOLAEV 等[51]在蓝宝石衬底上制备分别制备出 α 相和 β 相氧化镓外延膜,通过维氏硬度试验对比了 α 相氧化镓外延膜、 β 相氧化镓外延膜和 β 相氧化镓单晶的显微硬度,建立了压痕过程中考虑各向异性影响的中位裂纹和径向裂纹扩展的数学模型,基于该模型计算了 α 相和 β相氧化镓外延膜在不同载荷作用下的断裂强度,分析了超精密加工 α 相和 β 相氧化镓外延膜时裂纹扩展规律。结果表明, α 相氧化镓外延膜的硬度和断裂最高, β 相氧化镓外延膜次之, β 相氧化镓单晶的硬度断裂强度最低。在压头载荷作用下, α 相氧化镓外延膜表面沿压头棱边产生三条微裂纹,且裂纹之间一般成 120°, β 相氧化镓外延膜表面仅产生两条成 180°的微裂纹。日本精细陶瓷中心的 YAO 等[52-53]采用 X 射线衍射形貌技术分析了不同衍射矢量条件下(-201)氧化镓晶片表面的 X 射线衍射形貌,研究了晶片表面位错缺陷的类型和特性。研究表明, (-201)氧化镓晶片表面的 X 射线衍射形貌图主要包括点、线和棒三种缺陷形式,其中,点状缺陷为(-201)晶面上初露的位错,线状缺陷为沿(-201)晶面<010>晶向产生的螺旋形位错,棒状缺陷为晶片表面非常严重的位错缺陷或空洞、解理等其他三维缺陷,如图 24 所示,并确定了位错缺陷对应的典型伯格斯矢量。


图 24 氧化镓单晶表面的 X 射线衍射形貌图


日本京都工艺纤维大学的 OGAWA 等[54]通过熔融碱腐蚀法和原子力显微镜、扫描电镜等观测仪器研究了氧化镓单晶表面在腐蚀作用下产生的损伤特征。结果表明,在熔融碱腐蚀作用下氧化镓单晶表面主要产生不同形状的腐蚀坑,根据腐蚀坑的形状将其归为 Cicada I、 Cicada II、 Cannonball、 Trapezoid、Bar 和 Shell 六种类型,如图 25 所示,其中 Cicada I和 Cicada II 类型的腐蚀坑是由氧化镓单晶表面的面损伤引起的, Cannonball 类型的腐蚀坑是由氧化镓单晶表面的位错损伤引起的, Trapezoid、 Bar 和 Shell类型的腐蚀坑是由氧化镓单晶表面的微观表面形貌引起的。



图 25 熔融碱腐蚀氧化镓单晶表面的腐蚀坑


韩国半导体物理研究中心的 LEE 等[55]系统研究了干式等离子体反应离子刻蚀和湿式化学溶液刻蚀氧化镓单晶的表面微观形貌和损伤特性,为了提高刻蚀效率和改善氧化镓单晶刻蚀表面质量,通过刻蚀试验对干式刻蚀和湿式刻蚀氧化镓单晶的刻蚀剂进行了优化。结果表明,干式等离子体反应离子刻蚀氧化镓单晶的效率高,但会产生的较大损伤层,表面可观测到大量明显的腐蚀坑,湿式化学溶液刻蚀氧化镓单晶的效率低,但刻蚀表面损伤小,如图26 所示,因此,干式等离子体反应离子刻蚀可用于氧化镓单晶的粗刻蚀工艺,湿式化学溶液刻蚀可去除干式刻蚀产生的较大损伤层,提高氧化镓单晶的刻蚀表面质量。此外,采用湿式化学溶液刻蚀氧化镓单晶时,以硫酸和双氧水混合液作为刻蚀剂产生的表面损伤明显小于以四甲基氢氧化铵作为刻蚀剂产生的表面损伤,确定了湿式刻蚀氧化镓单晶的合理刻蚀剂和刻蚀工艺。


图 26 干式等离子体反应离子刻蚀和湿式化学溶液刻蚀氧化镓单晶的表面损伤及其微观形貌


2.2 氧化镓晶片的超精密加工工艺


氧化镓晶片在加工过程中极易解理破碎,目前国内外主要采用单面游离磨料研磨和化学机械抛光的传统晶片加工工艺。首先将线锯切割而成的氧化镓晶片通过蜡粘结在载物盘上,利用单面研磨机,采用不同粒度的游离磨料对晶片表面进行粗研和精研加工,定量去除前道工序磨料产生的表面及亚表面损伤,控制其形状精度及亚表面的损伤层深度,达到要求的厚度和面形精度;然后,再采用单面抛光机对晶片表面进行化学机械抛光,获得超光滑近无损伤表面。从目前氧化镓晶片的加工技术水平来看,日本的 Tamura 公司[6, 56-57]处于国际领先地位,已能够加工最大直径 150 mm 的氧化镓晶片,实现了直径 50 mm 氧化镓晶片的产业化加工,如图 27所示。美国的 Kyma Technologies 公司[58]和 MSESupplies 公司[59]采用游离磨料研磨和化学机械抛光相结合的传统晶片加工工艺也实现了直径 25 mm 氧化镓晶片的超精密加工。由于氧化镓晶片的超精密加工工艺属于上述各公司的核心技术,各公司在研磨和抛光氧化镓晶片过程中采用的磨料种类和尺寸、研磨液/抛光液类型以及具体加工参数等关键技术尚未见公开文献报道。

图 27 日本 Tamura 公司加工的直径 150 mm 氧化镓晶片和直径 50 mm 的氧化镓晶片

为了提高氧化镓晶片的成品率和加工效率,美国空军研究实验室的 BLEVINS 等[60-61]针对氧化镓晶片研磨和抛光加工的研磨液、研磨盘、抛光液和抛光垫进行了系统的研究,确定了研磨和抛光氧化镓晶片的合理加工工艺。研究表明,在氧化镓晶片的研磨加工中,采用磨料粒径为 40 μm 的 Al2O3 研磨液和较软的高分子聚合物研磨垫加工氧化镓晶片时,晶片极易解理破碎,成品率低;采用磨料粒径为 20 μm 的 Al2O3 研磨液和较硬的铸铁研磨盘加工氧化镓晶片时,能够有效抑制氧化镓晶片的解理破碎,提高晶片成品率,但晶片加工表面仍存在较严重的损伤层;采用磨料粒径为 1 μm 的 Al2O3 研磨液和较软的铅质研磨盘加工氧化镓晶片时,晶片表面得到极大提高,但晶片的材料去除率较低。在氧化镓晶片的抛光加工中,采用 pH 值约为 12 的碱性硅溶胶抛光液和毛毡抛光垫加工氧化镓晶片时,能够氧化镓晶片超光滑表面的加工。最后,提出分别采用 20 μm Al2O3 研磨液和铸铁研磨盘粗磨、 1 μm Al2O3  研磨液和铅质研磨盘精磨、碱性硅溶胶抛光液和毛毡抛光垫抛光的氧化镓晶片超精密加工工艺,加工的氧化镓晶片及其表面的原子力显微镜检测结果如图 28 所示。


图 28 美国空军研究实验室加工的氧化镓晶片及其表面的原子力显微镜检测结果(20 μm×50 μm)


图 29 研磨盘沟槽密度对晶片去除率和表面粗糙度的影响


韩国工业技术研究院的 LEE 和釜山大学的JEONG 等[62]研究了研磨盘沟槽密度(沟槽宽度/沟槽间距,如图 29 所示)对晶片表面质量和材料去除率的影响,结果表明,研磨盘的沟槽密度对研磨过程中的液膜厚度和流体状态有直接的影响,进而影响晶片表面质量和材料去除率。当研磨盘沟槽密度<0.3 时,研磨过程中的流体润滑处于混合状态,随着沟槽密度的减小,液膜厚度随之增大,导致研磨液中只有粒径较大的磨粒能够切削晶片表面材料,参与实际研磨的磨粒数量减少,晶片的材料去除率降低,且由于参与的磨粒均为大粒径磨粒,容易划伤晶片表面,降低晶片表面质量,如图 29 所示。 因此,为了提高研磨晶片的表面质量和材料去除率,需要增大研磨盘的沟槽密度。


日本信州大学的 HOSHIKAWA 等[63-64]研究了氧化镓晶片(001)晶面和(100)晶面的游离磨料研磨和抛光工艺,对比了(001)晶面和(100)晶面的加工性能和成品率,并结合氧化镓单晶的晶体结构分析了试验结果的产生原因。结果表明,研磨和抛光氧化镓晶片的(001)晶面和(100)晶面时,相同加工条件下,(001)晶面的表面质量和成品率均优于(100)晶面,此外, (100)晶面在加工过程中极易解理破碎,游离磨料研磨工艺难以实现(100)晶面的高效高表面质量加工,加工的(001)氧化镓晶片如图 30 所示。

图 30 研磨和抛光的氧化镓晶片(001)晶面


图 31 不同研磨液研磨氧化镓晶片的表面微观形貌


国内虽然已能够生长出 4 英寸的高质量氧化镓单晶,但在氧化镓单晶的超精密加工工艺方面和国际水平存在明显差距,仅对小尺寸(≤10 mm)氧化镓晶片的游离磨料研磨和抛光工艺进行了研究。针对氧化镓晶片的游离磨料研磨加工,盐城工学院的黄传锦等[65-67]通过 10¯10 mm 氧化镓晶片的研磨试验对比了水基和油基研磨液的加工效果,发现油基研磨液能够有效改善晶面表面质量,如图 31 所示,同时还可有效缓解氧化镓晶片的解理破碎现象,提出依次采用水基研磨液和油基研磨液加工氧化镓晶片的工艺路线。此外,周海等[68]还研制了一种黏弹性固着磨料新型研磨垫,通过氧化镓晶片研磨试验对比了铸铁研磨盘和新型研磨垫的加工性能,结果表明新型研磨垫加工氧化镓晶片的材料去除率低于铸铁研磨盘,但加工晶片表面粗糙度 Ra 达到 58 nm,远好于铸铁研磨盘加工的晶片。


针对氧化镓晶片的化学机械抛光加工,盐城工学院高翔等[69-71]分析了 pH 值、温度、压力、磨粒和抛光垫等对抛光表面质量和材料去除率的影响,研究发现,在抛光温度为 27℃、 9≤pH≤11、抛光压力为 60 kPa 条件下,使用粒径为 40 nm 的低分散度 SiO2 溶胶磨粒和聚氨酯抛光垫,能够获得较好的表面质量和较高的材料去除率。中国电子科技集团公司第四十六研究所的徐世海等[72]采用酸性硅溶胶溶液作为抛光液,对 10¯10 mm 氧化镓晶片进行了抛光试验,获得了表面粗糙度 Ra 0.17 nm 的抛光表面,并通过观测工件表面的微观形貌变化定性分析了氧化镓晶片抛光加工的材料去除机理。为了优化氧化镓晶体化学机械抛光加工的抛光液成分,盐城工学院的 HUANG 等[73-74]进一步研究了碱性抛光液和酸性抛光液加工氧化镓晶体的化学反应机理,发现采用酸性抛光液抛光氧化镓晶体时表面生成了可溶性的镓盐,有利于提高抛光效率,采用碱性抛光液抛光时表面生成了半溶性镓盐,可避免磨料对工件表面的划擦,有利于提高工件表面质量;在此基础上, HUANG 等[75]进一步研究了抛光过程中磨粒形状对氧化镓单晶(100)晶面表面质量的影响,结果表明,尖锐磨粒和钝球形磨粒抛光表面的粗糙度Ra 分别为 210 nm 和 14 nm,采用钝球形磨粒比尖锐磨粒有利于氧化镓晶片表面以塑性域方式去除材料,更适合与氧化镓晶片的抛光加工。



图 32 游离磨料研磨氧化镓晶片的表面损伤形成机理


由于游离磨料研磨加工是利用研磨盘和晶片之间的磨料对晶片表面的滚压作用去除材料,其中较大的磨料承担较高的载荷,对晶片表面的作用力比较大,导致氧化镓晶片在研磨过程中经常发生解理破碎,如图 32 所示。特别是大尺寸(≥50 mm)氧化镓晶片,采用游离磨料研磨时由于材料去除机理固有的原因,不仅加工效率低、损伤深度大,而且更容易解理破碎,严重影响晶片的成品率和加工成本,已成为制约大尺寸氧化镓晶片应用的瓶颈。近年来,基于工件旋转磨削原理的金刚石砂轮超精密磨削技术(图 33)由于其磨粒利用率高、加工成本低、加工精度高、容易实现工艺过程自动化等优点,代替传统游离磨粒研磨,在硅、砷化镓、磷化铟等硬脆半导体晶片的平整化加工中得到广泛应用。因此,国内外学者对基于工件旋转磨削原理的金刚石砂轮超精密磨削氧化镓晶片的加工工艺也进行了研究。


图 33 工件旋转磨削原理示意图

日本 Kimmon Koha 公司的 KOSHI 等[76]研究了基于工件旋转磨削原理的氧化镓晶片超精密磨削工艺,通过系统的氧化镓晶片磨削试验分析了金刚石砂轮粒度对晶片表面材料去除率和表面质量的影响,提出高效率高精度低损伤加工氧化镓晶片的加工工艺。结果表明, #800(粒度 20 μm)金刚石砂轮能够在保证氧化镓晶片不发生解理破碎的条件下快速去除晶片表面材料,但表面损伤较严重,存在大量明显的微裂纹; #1000(粒度 16 μm)金刚石砂轮磨削氧化镓晶片的表面质量得到明显改善,晶片表面仅观测到少量的微裂纹;确定了依次采用#800 金刚石砂轮粗磨、 #1000 金刚石砂轮精磨和硅溶胶抛光液抛光的氧化镓晶片超光滑表面加工工艺。


图 34 日本 Disco 公司研制的超精密磨床和金刚石砂轮


日本 Disco 公司[77]针对氧化镓晶片极易解理破碎材料特性和高效低损伤的加工要求,研究了基于工件旋转磨削原理的超精密磨削氧化镓晶片的三主轴两工位超精密磨床和粗磨、精磨氧化镓晶片的金刚石砂轮,如图 34 所示,为氧化镓晶片的超精密磨削加工提供了成套的磨削设备与工具,但目前尚未实际进入氧化镓晶片的产业化加工。


澳大利亚昆士兰大学的 LI 等[78]为了减小金刚石砂轮磨削氧化镓晶片的磨削力,抑制晶片解理破碎,研制了水基氧化石墨烯磨削液代替传统半导体晶片加工中采用的纯水磨削液,并通过分析砂轮磨削晶片时磨削力、表面微观形貌和粗糙度、亚表面损伤等研究了水基氧化石墨烯冷却液的磨削性能。研究表明,水基氧化石墨烯磨削液能够显著改善磨削过程中砂轮和工件间的润滑性能,与传统的纯水磨削液相比,砂轮和工件间的摩擦因数明显减小。此外,使用氧化石墨烯的质量分数为 0.1%的水基氧化石墨烯磨削液加工晶片时,砂轮和工件接触面之间会形成氧化石墨烯的动态润滑膜,能够极大的降低切向磨削力,进而提高磨削晶片的表面质量。

图 35 超精密磨削氧化镓单晶的亚表面损伤层模型

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