掺镁铌酸锂晶体(MgOCLN)

2021-12-22 12:08:38 0

光学级掺镁铌酸锂晶体(MgOCLN)及晶片

铌酸锂晶体中,当掺入5mol%MgO后,所生长出来的MgOCLN晶体的抗激光损伤阈值可以提高2个数量级,OH-吸收峰红移至3535cm-1,紫外吸收边移至310nm,极化翻转电压从21KV/mm降至6KV/mm以下。这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。

 

上海光机所可提供的镁铌酸锂晶体(MgOCLN)规格

毛坯


直径

Ø76.2mm

长度

≤150mm

掺镁浓度

0.5~5%

方向

Z或按特定要求


晶片


直径

Ø76.2mm± 0.3mm

方向

Z-cut ± 0.2°

基准面边

22mm ± 2mm

Perpendicular to X ± 0.2°

第二基准

10mm ±3mm

Cw180° ± 0.5° from OF

Cw270° ± 0.5° from OF

厚度

500um ± 5um

1000um ± 5um

晶片表面

双面抛光

S/D 10/5

TTV

≤ 6um

掺镁浓度

0.5--5%

折射率

n0=2.2827 ± 0.0003 ne=2.1928± 0.0003

prism coupler method @632.8nm Doped 5mol%

边缘倒角

倒角

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