蓝宝石sapphire晶片
·尺寸:2英寸、4英寸、6英寸和切割小块 C向、M向、R向;单抛、双抛:
·厚度:100um、280um、300um、350um、430um、500um、650um、1mm;
·阐述:蓝宝石是氢化铝的单晶，是自然界里硬度第二的材料，仅次于钻石。
蓝宝石具有良好的透光性，高强度，抗碰撞阻力，耐磨性，抗腐蚀及抗高温高压，生物相容性，可以做成各种形状的物体，是制作半导体光电子器件的一种理想衬底材料。
·应用:蓝宝石单晶是一种优良的多功能材料。可以广泛应用于工业，国防和科研等多个领域(如耐高温红外窗口)，同时它也是一种用途广泛的单晶基片材料，是当前蓝、紫、白光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)工业的先选基片(需要在蓝宝石基片上外延氮化镓膜层)，也是重要的超导薄膜基片。除了可以制作Y-系，La-系等高温超导薄膜外，还可以用于生长新型实用MqB2(二硼化镁)超导薄膜。
| 晶向 | C(0001)
| R(1-102) | M(10-10)
| A (11-20) |
| 物理性能 | C轴均有晶光性，其他轴具有负光性;C面为平面，最好切。 | 比A稍难切。 | M面为阶梯锯齿状，不好切，容易切裂。 | A向硬度明显高于C向，具体表现在耐磨，耐刮，硬度高;A面为Z型锯 齿状面，比较好切; |
| 应用 | C向的蓝宝石基底被用于生长III-V与II-VI沉积薄膜，比如氮化镓，可以产出蓝色的LED产品、激光二极管、红外线探测仪的应用。
主要是因为蓝宝石晶体沿C轴生长的工艺成熟、成本相对较低、物化性能稳定，在C面进行磊晶的技术成熟稳定。
| R向基底生长的不同沉积的硅料外延长晶，被应用于微电子集成电路。
此外，在对外延硅生长制膜的过程中，还可以形成高速的集成电路和压力传感器。
在制作砣、其他超导组件、高阻电阻器、砷化镓时亦可应用于R型基底生长。 | 主要用来生长非极性/半极性面GaN外延薄膜，以提高发光效率
| A向基底产生统一的电容率介质，并且高度绝缘被应用于混合微电子技术中。
高温的超导体可由A型基底长晶产生。 |
加工能力
| 图案化蓝宝石基板atet Sasphire Substrate简称PSS):以成长(Growth)或蚀刻(Etching)的方式，在蓝宝石基板上设计制作出纳米级特定规则的微结构图案藉以控制LED之输出光形式，并 加工能力 可同时减少生长在蓝宝石基板上GaN之间的差排缺陷，改善磊晶质量，并提升LED内部量子效率、增加光萃取效率。可加工成蓝宝石棱镜、表镜、透镜、孔件、锥台等各种结构件。 |
性质说明
| 密度 | 硬度 | 熔点 | 折射率(可见光和红外波段） | 透光率(双抛) | 介电常数 |
| 3.98g/cm3 | 9(mohs) | 2053°C | 1.762-1.770 | ≥85% | 11.58 @300K at C axi s(9.4 at A axis) |
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