蓝宝石sapphire晶片详解

2021-11-10 13:44:25 0

蓝宝石sapphire晶片

·尺寸:2英寸、4英寸、6英寸和切割小块 C向、M向、R向;单抛、双抛:

·厚度:100um、280um、300um、350um、430um、500um、650um、1mm;

·阐述:蓝宝石是氢化铝的单晶,是自然界里硬度第二的材料,仅次于钻石。

蓝宝石具有良好的透光性,高强度,抗碰撞阻力,耐磨性,抗腐蚀及抗高温高压,生物相容性,可以做成各种形状的物体,是制作半导体光电子器件的一种理想衬底材料。

·应用:蓝宝石单晶是一种优良的多功能材料。可以广泛应用于工业,国防和科研等多个领域(如耐高温红外窗口),同时它也是一种用途广泛的单晶基片材料,是当前蓝、紫、白光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)工业的先选基片(需要在蓝宝石基片上外延氮化镓膜层),也是重要的超导薄膜基片。除了可以制作Y-系,La-系等高温超导薄膜外,还可以用于生长新型实用MqB2(二硼化镁)超导薄膜。


晶向  C(0001) 
  R(1-102) M(10-10)
 A (11-20) 
物理性能C轴均有晶光性,其他轴具有负光性;C面为平面,最好切。 比A稍难切。M面为阶梯锯齿状,不好切,容易切裂。 A向硬度明显高于C向,具体表现在耐磨,耐刮,硬度高;A面为Z型锯 齿状面,比较好切; 
应用

C向的蓝宝石基底被用于生长III-V与II-VI沉积薄膜,比如氮化镓,可以产出蓝色的LED产品、激光二极管、红外线探测仪的应用


主要是因为蓝宝石晶体沿C轴生长的工艺成熟、成本相对较低、物化性能稳定,在C面进行磊晶的技术成熟稳定。



R向基底生长的不同沉积的硅料外延长晶,被应用于微电子集成电路。


此外,在对外延硅生长制膜的过程中,还可以形成高速的集成电路和压力传感器。


在制作砣、其他超导组件、高阻电阻器、砷化镓时亦可应用于R型基底生长。

主要用来生长非极性/半极性面GaN外延薄膜,以提高发光效率

A向基底产生统一的电容率介质,并且高度绝缘被应用于混合微电子技术中


高温的超导体可由A型基底长晶产生。

加工能力
图案化蓝宝石基板atet Sasphire Substrate简称PSS):以成长(Growth)或蚀刻(Etching)的方式,在蓝宝石基板上设计制作出纳米级特定规则的微结构图案藉以控制LED之输出光形式,并 加工能力 可同时减少生长在蓝宝石基板上GaN之间的差排缺陷,改善磊晶质量,并提升LED内部量子效率、增加光萃取效率。可加工成蓝宝石棱镜、表镜、透镜、孔件、锥台等各种结构件。
性质说明
密度硬度熔点折射率(可见光和红外波段)透光率(双抛) 介电常数
3.98g/cm3 9(mohs)2053°C1.762-1.770 ≥85% 

11.58

@300K 

at 

C axi

s(9.4 at A axis)


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