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2021.11.15
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇
随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能已经接近其物理极限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。技术领先国家和国际
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2021.11.15
碳化硅功率半导体在新能源汽车中的应用
在之前举办的“2021CIAS中国国际车规级功率半导体年会”上，复旦大学雷光寅博士做了一个题为《碳化硅功率半导体在新能源汽车电机控制器中的应用》的演讲，主要从SiC功率半导体技术优势；电控研发重点与挑战；发展方向与展望这三个方向做了详细的报告。在报告中，雷光寅博士大胆预测未来SiC MOSFET将逐步取代部分Si IGBT作为驱动电机控制器中的主功率器件；在提升效率的同时，电控的发展方向是更高的功
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2021.11.15
深度解读TFT-LCD液晶显示技术
1888年，奥地利植物植物学家莱尼茨尔发现了液晶，它是一个奇怪的有机化合物，分别有两个熔点，把它的固态晶体加热到145℃时，便熔成液体，只不过是浑浊的，而一切纯净物质熔化时却是透明的。如果继续加热到175℃时，它似乎再次熔化，变成清澈透明的液体。后来，德国物理学家莱曼使用他亲自设计，在当时作为最新式的附有加热装置的偏光显微镜对这些脂类化合物进行了观察。他发现，这类白而浑浊的液体外观上虽然属于液体，
