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2021.11.11
化合物半导体——蓝宝石
蓝宝石(Al₂O₃)蓝宝石的成分为氧化铝，因含微量元素钛（Ti4+）或铁（Fe2+）而呈蓝色。属三方晶系，晶体形态常呈筒状、短柱状、板状等，几何体多为粒状或致密块状。透明至半透明，玻璃光泽。折光率1.76-1.77，双折射率0.008，二色性强。非均质体。有时具有特殊的光学效应-星光效应。硬度为9，密度3.95-4.1克/立方厘米。无解理，裂理发育。序号项目规格1Material 材料High P
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2021.11.11
化合物半导体——氮化镓
氮化镓(GaN)高频特性，可以达到300 GHz高温特性，在300°C正常工作(非常适用于航天、 军事和其它高温环境)电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好耐酸、耐碱、耐腐蚀(可用于恶劣环境)高压特性(耐冲击，可靠性高)大功率(对通讯设备是非常渴望的)GaN/ Al₂O₃ Substrates (4") 4英寸氮化镓复合衬底Item 产品型号Un-dopedN-typeH
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2021.11.11
化合物半导体——磷化铟
磷化铟(InP)高电场下，电子峰值漂移速度高于GaAs中的电子，是制备超高速、超高频器件的良好材料; InP作为转移电子效应器件材料，某些性能优于GaAs InP的直接跃迁带隙为1.35 eV，正好对应于光纤通信中传输损耗最小的波段; InP的热导率比GaAs好，散热效能好 InP是重要的衬底材料:制备半绝缘体单晶 磷化铟单晶是周期系第Ⅲ、V族化合
