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2021.11.15
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇(2)
三、碳化硅功率半导体存在的问题尽管全球碳化硅器件市场已经初具规模，但是碳化硅功率器件领域仍然存在一些诸多共性问题亟待突破，比如碳化硅单晶和外延材料价格居高不下、材料缺陷问题仍未完全解决、碳化硅器件制造工艺难度较高、高压碳化硅器件工艺不成熟、器件封装不能满足高频高温应用需求等，全球碳化硅技术和产业距离成熟尚有一定的差距，在一定程度上制约了碳化硅器件市场扩大的步伐。1、碳化硅单晶材料国际上碳化硅单晶材
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2021.11.15
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇
随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能已经接近其物理极限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。技术领先国家和国际
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2021.11.15
碳化硅功率半导体在新能源汽车中的应用
在之前举办的“2021CIAS中国国际车规级功率半导体年会”上，复旦大学雷光寅博士做了一个题为《碳化硅功率半导体在新能源汽车电机控制器中的应用》的演讲，主要从SiC功率半导体技术优势；电控研发重点与挑战；发展方向与展望这三个方向做了详细的报告。在报告中，雷光寅博士大胆预测未来SiC MOSFET将逐步取代部分Si IGBT作为驱动电机控制器中的主功率器件；在提升效率的同时，电控的发展方向是更高的功
